FQP6N80C

Купить со склада от 33,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FQP6N80C@ONS PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
FQP6N80C фото 1 FQP6N80C фото 1
FQP6N80C фото 2 FQP6N80C фото 2
FQP6N80C фото 3 FQP6N80C фото 3
FQP6N80C
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQP6N80C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
5.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
QFET
Brand
Fairchild Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
44 ns
Forward Transconductance - Min
5.4 S
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Pd - Power Dissipation
158 W
Rise Time
65 ns
Series
FQP6N80C
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
47 ns
Typical Turn-On Delay Time
26 ns
Width
4.7 mm
Part # Aliases
FQP6N80C_NL
обновлено 2017-07-27 11:00:41
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 335008 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 33.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 202540 шт.

FQP6N80C%40ONS