FDP100N10

Купить со склада от 331,00 руб

Power Field-Effect Transistor, 75A, 100V, 0.01ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Масса товара:
0.001 грамм
FDP100N10

Анализ рынка FDP100N10@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
30
2970
от 1000
331,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FDP100N10

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
75 A
Rds On - Drain-Source Resistance
10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Tradename
PowerTrench
Packaging
Tube
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Series
FDP100N10
Transistor Type
1 N-Channel
Width
4.7 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Fall Time
115 ns
Pd - Power Dissipation
208 W
Rise Time
265 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
125 ns
Typical Turn-On Delay Time
70 ns
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 335002 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 331.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2970 шт.

FDP100N10%40ONS