FDP100N10

Купить со склада от 99,30 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FDP100N10@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FDP100N10 фото 1 FDP100N10 фото 1
FDP100N10 фото 2 FDP100N10 фото 2
FDP100N10 фото 3 FDP100N10 фото 3
FDP100N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FDP100N10
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
75 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Rds On - Drain-Source Resistance
10 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
208 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
115 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
265 ns
Series
FDP100N10
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
125 ns
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:15
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 335002 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 99.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 16646 шт.

FDP100N10%40ONS