HGT1N30N60A4D

Купить со склада от 1848,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGT1N30N60A4D@ONS PDF даташит
HGT1N30N60A4D фото 1 HGT1N30N60A4D фото 1
HGT1N30N60A4D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGT1N30N60A4D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Package Case
SOT-227
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current Ic Max
96 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Power Dissipation
225 W
Packaging
Tube
Configuration
Single
обновлено 2017-07-27 11:00:40
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 327735 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1848.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1762 шт.

HGT1N30N60A4D%40ONS