MJD3055T4G

Купить со склада от 18,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD3055T4G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJD3055T4G фото 1 MJD3055T4G фото 1
MJD3055T4G фото 2 MJD3055T4G фото 2
MJD3055T4G фото 3 MJD3055T4G фото 3
MJD3055T4G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD3055T4G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
70 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Maximum DC Collector Current
10 A
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD3055
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
10 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
20
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
20 W
Factory Pack Quantity
2500
Width
6.22 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:26
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 322955 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 18.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 32720 шт.

MJD3055T4G%40ONS