IRF7855

Купить со склада от 94,50 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 12А, 2,5Вт, SO8, HEXFET®

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.2396 грамм
IRF7855

Анализ рынка IRF7855@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
32
от 10
182,00 p
Склад
1-2
3631
от 1000
100,00 p
Склад
26
5799
от 5000
144,00 p
Склад
26
14892
от 12000
142,00 p
Склад
27
28810
от 10000
209,00 p
Склад
3
23
от 21
123,00 p

Технические характеристики IRF7855

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
12 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.9 V
Qg - Gate Charge
26 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
12 ns
Forward Transconductance - Min
14 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
13 ns
Factory Pack Quantity
4000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
16 ns
Typical Turn-On Delay Time
8.7 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.017870 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 322894 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 94.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 61732 шт.

IRF7855%40INFIN