PDTD113ZT

Купить со склада от 1,38 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PDTD113ZT@NXP PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
PDTD113ZT фото 1 PDTD113ZT фото 1
PDTD113ZT фото 2 PDTD113ZT фото 2
PDTD113ZT фото 3 PDTD113ZT фото 3
PDTD113ZT
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PDTD113ZT
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Family
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer
NXP Semiconductors
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)
1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
-
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23 (TO-236AB)
обновлено 2017-03-05 09:04:13
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 315734 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1.38RUB руб. Купить

Доступное количество: 637855 шт.

PDTD113ZT%40NXP