PDTC123ET

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PDTC123ET@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
PDTC123ET фото 1 PDTC123ET фото 1
PDTC123ET фото 2 PDTC123ET фото 2
PDTC123ET фото 3 PDTC123ET фото 3
PDTC123ET
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PDTC123ET
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
3,000
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer
Nexperia USA Inc.
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)
2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500ВµA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
Frequency - Transition
-
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
TO-236AB (SOT23)
обновлено 2017-07-23 07:31:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 315732 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 204718 шт.

PDTC123ET%40NXP