PDTB113ZT

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PDTB113ZT@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
PDTB113ZT фото 1 PDTB113ZT фото 1
PDTB113ZT фото 2 PDTB113ZT фото 2
PDTB113ZT фото 3 PDTB113ZT фото 3
PDTB113ZT
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PDTB113ZT
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
3,000
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer
Nexperia USA Inc.
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)
1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
-
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
TO-236AB (SOT23)
обновлено 2017-07-23 07:31:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 315730 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 67603 шт.

PDTB113ZT%40NXP