PDTA123ET

Купить со склада от 0,57 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PDTA123ET@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
PDTA123ET фото 1 PDTA123ET фото 1
PDTA123ET фото 2 PDTA123ET фото 2
PDTA123ET фото 3 PDTA123ET фото 3
PDTA123ET
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PDTA123ET
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
PCN DesignSpecification
SOT23 Package Assembly Material Update 11Sep2014Copper Bond Wire 08Nov2014
Standard Package
1
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)
2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
-
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23 (TO-236AB)
Other Names
568-11230-1
обновлено 2017-07-23 07:31:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 315728 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.57RUB руб. Купить

Доступное количество: 825740 шт.

PDTA123ET%40NXP