NTGS4111PT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF NTGS4111PT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
NTGS4111PT1G фото 1 NTGS4111PT1G фото 1
NTGS4111PT1G фото 2 NTGS4111PT1G фото 2
NTGS4111PT1G фото 3 NTGS4111PT1G фото 3
NTGS4111PT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NTGS4111PT1G
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSOP-6
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Id - Continuous Drain Current
- 4.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
68 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single Quad Drain
Fall Time
15 ns, 9 ns
Forward Transconductance - Min
6 S
Height
0.94 mm
Length
3 mm
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
15 ns, 9 ns
Series
NTGS4111P
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
28 ns, 38 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns, 9 ns
Width
1.5 mm
Unit Weight
0.000705 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:17

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

NTGS4111PT1G%40ONS