PD55003-E

Купить со склада от 450,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF PD55003-E@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
PD55003-E фото 1 PD55003-E фото 1
PD55003-E фото 2 PD55003-E фото 2
PD55003-E фото 3 PD55003-E фото 3
PD55003-E
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PD55003-E
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Drain Current (Max)
2.5 A
Frequency (Max)
1000(MHz)
Gate-Source Voltage (Max)
?20 V
Output Power (Max)
3W(Min)
Power Dissipation
31.7 W
Mounting
Surface Mount
Package Type
PowerSO-10RF
Packaging
RailTube
Pin Count
3
Polarity
N
Type
RF MOSFET
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
52 %
Drain-Source On-Volt
40 V
Power Gain
17 dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
2.5(A)
Operating Temp Range
-65C to 165C
Channel Type
N
Screening Level
Military
VSWR (Max)
20(Min)
Forward Transconductance (Typ)
1(S)
Input Capacitance (Typ)@Vds
36@12.5V(pF)
Output Capacitance (Typ)@Vds
24@12.5V(pF)
Power Gain (Typ)@Vds
17(dB)
Drain Efficiency (Typ)
52(%)
Reverse Capacitance (Typ)
2.4@12.5V(pF)
Drain Source Voltage (Max)
40(V)
Power Dissipation (Max)
31700(mW)
DELETED
Compliant
обновлено 2017-07-09 07:16:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311758 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 450.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 93 шт.

PD55003-E%40ST