IPP80N08S2L07

Купить со склада от 127,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IPP80N08S2L07@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IPP80N08S2L07 фото 1 IPP80N08S2L07 фото 1
IPP80N08S2L07 фото 2 IPP80N08S2L07 фото 2
IPP80N08S2L07
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IPP80N08S2L07
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
233 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
22 ns
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
55 ns
Series
OptiMOS
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
19 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07XK SP000219050
обновлено 2017-07-09 07:16:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311292 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 127.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2030 шт.

IPP80N08S2L07%40INFIN