IPP80N08S207

Купить со склада от 68,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IPP80N08S207@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IPP80N08S207 фото 1 IPP80N08S207 фото 1
IPP80N08S207
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IPP80N08S207
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current
80 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Rds On - Drain-Source Resistance
7.4 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
300 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
30 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
50 ns
Series
OptiMOS
Factory Pack Quantity
500
Tradename
OptiMOS
Typical Turn-Off Delay Time
61 ns
Part # Aliases
IPP80N08S207AKSA1 SP000219040
обновлено 2017-03-05 09:04:13
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311291 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 68.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 1000 шт.

IPP80N08S207%40INFIN