IPP80N08S207

Купить со склада от 165,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IPP80N08S207@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IPP80N08S207 фото 1 IPP80N08S207 фото 1
IPP80N08S207 фото 2 IPP80N08S207 фото 2
IPP80N08S207
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IPP80N08S207
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.1 V
Qg - Gate Charge
180 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
30 ns
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
50 ns
Series
OptiMOS
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
61 ns
Typical Turn-On Delay Time
26 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
IPP80N08S207AKSA1 IPP80N08S207XK SP000219040
обновлено 2017-07-27 11:00:38
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311291 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 165.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 474 шт.

IPP80N08S207%40INFIN