IGW60T120

Купить со склада от 220,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IGW60T120@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IGW60T120 фото 1 IGW60T120 фото 1
IGW60T120 фото 2 IGW60T120 фото 2
IGW60T120 фото 3 IGW60T120 фото 3
IGW60T120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IGW60T120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
5.8 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Pd - Power Dissipation
375 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Height
20.95 mm
Length
15.9 mm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Series
IGW60T120
Factory Pack Quantity
240
Technology
Si
Width
5.3 mm
Part # Aliases
IGW60T120FKSA1 IGW60T120XK SP000013906
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311283 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 220.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12123 шт.

IGW60T120%40INFIN