FZ600R12KE3

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF FZ600R12KE3@INFIN PDF даташит
FZ600R12KE3 фото 1 FZ600R12KE3 фото 1
FZ600R12KE3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FZ600R12KE3
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C
900 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd - Power Dissipation
2800 W
Package Case
62 mm
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
36.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
61.4 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:38

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

FZ600R12KE3%40INFIN