FP50R12KE3

Купить со склада от 7467,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF FP50R12KE3@INFIN PDF даташит
FP50R12KE3 фото 1 FP50R12KE3 фото 1
FP50R12KE3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FP50R12KE3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd - Power Dissipation
270 W
Package Case
EconoPIM3
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Packaging
Bulk
Brand
Infineon Technologies
Height
17 mm
Length
122 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
62 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311154 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 7467.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 87 шт.

FP50R12KE3%40INFIN