FP25R12KE3

Купить со склада от 5464,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF FP25R12KE3@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FP25R12KE3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FP25R12KE3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd - Power Dissipation
150 W
Package Case
EconoPIM2
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
17 mm
Length
107.5 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
45 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:13
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311152 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 5464.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 10 шт.

FP25R12KE3%40INFIN