BSM75GB120DN2

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF BSM75GB120DN2@NONAME PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
BSM75GB120DN2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM75GB120DN2
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
105 A
Gate-Emitter Leakage Current
320 nA
Pd - Power Dissipation
625 W
Package Case
Half Bridge1
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Height
30.5 mm
Length
94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
34 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:12

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

BSM75GB120DN2%40NONAME