BSM300GA120DN2
Купить со склада от 66577,00 рубМодули IGBT 62 mm 1200 V
Техническая документация:
Масса товара:
349 грамм
Анализ рынка BSM300GA120DN2@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
28
7
от 2
66 577,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики BSM300GA120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
430 A
Gate-Emitter Leakage Current
320 nA
Pd - Power Dissipation
2500 W
Package Case
62 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Height
36.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
61.4 mm
Part # Aliases
BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730
обновлено 01-10-2023
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
310760
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 66577.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 7 шт.
BSM300GA120DN2%40INFIN