BSM25GP120

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies www.infineon.com

🌏

Сайт
Infineon Technologies

⎋

Параметричес-
кий поиск на изготовителе

Техническая документация:

BSM25GP120

Анализ рынка BSM25GP120@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики BSM25GP120

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Product Category

IGBT Modules

Manufacturer

Infineon

RoHS

Details

Product

IGBT Silicon Modules

Configuration

Array 7

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.55 V

Continuous Collector Current at 25 C

45 A

Gate-Emitter Leakage Current

300 nA

Pd - Power Dissipation

230 W

Package Case

EconoPIM2

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Packaging

Tray

Brand

Infineon Technologies

Height

17 mm

Length

107.5 mm

Maximum Gate Emitter Voltage

+- 20 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Mounting Style

Screw

Factory Pack Quantity

Width

45 mm

обновлено 17-09-2023

BSM25GP120%40INFIN