BSM20GP60

Купить со склада от 9920,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF BSM20GP60@INFIN PDF даташит
BSM20GP60 фото 1 BSM20GP60 фото 1
BSM20GP60 фото 2 BSM20GP60 фото 2
BSM20GP60 фото 3 BSM20GP60 фото 3
BSM20GP60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM20GP60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Подробности
Торговая марка
Infineon Technologies
Продукт
IGBT Silicon Modules
Конфигурация
Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
35 A
Ток утечки затвор-эмиттер
300 nA
Рассеяние мощности
130 W
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Упаковка блок
EconoPIM2
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+- 20 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Вид монтажа
Screw
Размер фабричной упаковки
500
обновлено 2017-07-23 07:31:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 310755 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 9920.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 9 шт.

BSM20GP60%40INFIN