BSM15GP120

Купить со склада от 5710,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF BSM15GP120@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
BSM15GP120 фото 1 BSM15GP120 фото 1
BSM15GP120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM15GP120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Подробности
Продукт
IGBT Silicon Modules
Конфигурация
Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
35 A
Ток утечки затвор-эмиттер
300 nA
Рассеяние мощности
180 W
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Упаковка блок
EconoPIM2
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+- 20 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Вид монтажа
Screw
Размер фабричной упаковки
500
обновлено 2017-03-05 09:04:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 310753 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 5710.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6 шт.

BSM15GP120%40INFIN