HGTG12N60A4

Купить со склада от 186,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTG12N60A4@ONS PDF даташит
HGTG12N60A4 фото 1 HGTG12N60A4 фото 1
HGTG12N60A4 фото 2 HGTG12N60A4 фото 2
HGTG12N60A4 фото 3 HGTG12N60A4 фото 3
HGTG12N60A4
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTG12N60A4
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Подробности
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.1 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
54 A
Ток утечки затвор-эмиттер
+- 250 nA
Рассеяние мощности
167 W
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Упаковка блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
54 A
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Вид монтажа
Through Hole
Размер фабричной упаковки
150
Другие названия товара №
HGTG12N60A4_NL
обновлено 2017-07-23 07:31:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 309521 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 186.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4989 шт.

HGTG12N60A4%40ONS