FGH50N3

Купить со склада от 516,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FGH50N3@ONS PDF даташит
FGH50N3 фото 1 FGH50N3 фото 1
FGH50N3 фото 2 FGH50N3 фото 2
FGH50N3 фото 3 FGH50N3 фото 3
FGH50N3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FGH50N3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Package Case
TO-247-3
Mounting Style
Through Hole
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Pd - Power Dissipation
463 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
FGH50N3
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Continuous Collector Current
75 A
Continuous Collector Current Ic Max
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Height
20.82 mm
Length
15.87 mm
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
4.82 mm
Part # Aliases
FGH50N3_NL
Unit Weight
0.225401 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 309427 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 516.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 415 шт.

FGH50N3%40ONS