FCI11N60

Купить со склада от 106,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FCI11N60@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FCI11N60 фото 1 FCI11N60 фото 1
FCI11N60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FCI11N60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
I2PAK
Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Continuous Drain Current
11 A
Power Dissipation
125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
9.7 S
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.38 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
56 ns
Typical Rise Time
98 ns
Typical Turn-Off Delay Time
119 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
N-Channel MOSFET
обновлено 2017-03-05 09:04:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 309415 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 106.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 64279 шт.

FCI11N60%40ONS