MMBT4403LT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MMBT4403LT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MMBT4403LT1G фото 1 MMBT4403LT1G фото 1
MMBT4403LT1G фото 2 MMBT4403LT1G фото 2
MMBT4403LT1G фото 3 MMBT4403LT1G фото 3
MMBT4403LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MMBT4403LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.01 mm
Height
1.01 mm
Length
3.04 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.75 V
Maximum Collector Emitter Voltage
-40 V
Maximum DC Collector Current
-600 mA
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum DC Current Gain
20
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
PNP
Width
1.4 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 307852 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 13414009 шт.

MMBT4403LT1G%40ONS