SI2307BDS

Купить со склада от 10,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2307BDS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
SI2307BDS фото 1 SI2307BDS фото 1
SI2307BDS фото 2 SI2307BDS фото 2
SI2307BDS фото 3 SI2307BDS фото 3
SI2307BDS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2307BDS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-23-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Id - Continuous Drain Current
2.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
78 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
TrenchFET
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
12 ns
Forward Transconductance - Min
5 S
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Pd - Power Dissipation
750 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
12 ns
Series
SI2
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Width
1.4 mm
Part # Aliases
SI2307BDS-E3
Unit Weight
0.050717 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:11
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 302566 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 173638 шт.

SI2307BDS%40VISHAY