HGTG20N60B3

Купить со склада от 198,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTG20N60B3@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
HGTG20N60B3 фото 1 HGTG20N60B3 фото 1
HGTG20N60B3 фото 2 HGTG20N60B3 фото 2
HGTG20N60B3 фото 3 HGTG20N60B3 фото 3
HGTG20N60B3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTG20N60B3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Pd - Power Dissipation
165 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current
40 A
Continuous Collector Current Ic Max
40 A
Height
4.82 mm
Length
15.87 mm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Series
HGTG20N60B3
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
20.82 mm
Part # Aliases
HGTG20N60B3_NL
обновлено 2017-07-27 11:00:36
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300560 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 198.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 50144 шт.

HGTG20N60B3%40ONS