HGTG18N120BND

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTG18N120BND@ONS PDF даташит
Масса товара:
7 грамм
HGTG18N120BND фото 1 HGTG18N120BND фото 1
HGTG18N120BND фото 2 HGTG18N120BND фото 2
HGTG18N120BND фото 3 HGTG18N120BND фото 3
HGTG18N120BND
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTG18N120BND
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
54 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Pd - Power Dissipation
390 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current
54 A
Continuous Collector Current Ic Max
54 A
Height
20.82 mm
Length
15.87 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Series
HGTG18N120BND
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
4.82 mm
Part # Aliases
HGTG18N120BND_NL
обновлено 2017-07-23 07:31:14
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300558 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2067 шт.

HGTG18N120BND%40ONS