FQP13N10L

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 9,05А, Idm: 51,2А, 65Вт

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FQP13N10L

Анализ рынка FQP13N10L@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FQP13N10L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
QFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package Case
TO-220-3
обновлено 24-03-2024
FQP13N10L%40ONS