FQP13N10L

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FQP13N10L@ONS PDF даташит
Масса товара:
10 грамм
FQP13N10L фото 1 FQP13N10L фото 1
FQP13N10L фото 2 FQP13N10L фото 2
FQP13N10L фото 3 FQP13N10L фото 3
FQP13N10L
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQP13N10L
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
12.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance
180 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
QFET
Brand
Fairchild Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
72 ns
Forward Transconductance - Min
9.5 S
Height
9.4 mm
Length
10.1 mm
Pd - Power Dissipation
65 W
Rise Time
220 ns
Series
FQP13N10L
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
22 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.5 ns
Width
4.7 mm
Part # Aliases
FQP13N10L_NL
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:11
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300494 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 59916 шт.

FQP13N10L%40ONS