IRFB4110

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4110@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRFB4110 фото 1 IRFB4110 фото 1
IRFB4110 фото 2 IRFB4110 фото 2
IRFB4110 фото 3 IRFB4110 фото 3
IRFB4110
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4110
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Design Resources
IRFB4110PBF Saber ModelIRFB4110PBF Spice Model
PCN AssemblyOrigin
Mosfet Backend Wafer Processing 23Oct2013Qualification Wafer Source 01Apr2014
PCN Packaging
Package Drawing Update 19Aug2015
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
9620pF @ 50V
Power - Max
370W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Online Catalog
N-Channel Standard FETs
обновлено 2017-03-05 09:04:10
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 288038 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 35105 шт.

IRFB4110%40INFIN