VP2106N3

Купить со склада от 37,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microchip Technology
Техническая документация:
PDF VP2106N3@MICROCHIP PDF даташит
VP2106N3 фото 1 VP2106N3 фото 1
VP2106N3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики VP2106N3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Supertex
Product Category
MOSFETs
RoHS
No
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
P-Channel
Package Case
TO-92
Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Continuous Drain Current
0.25 A
Power Dissipation
740 mW
Resistance Drain-Source RDS (on)
12 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
4 ns
Typical Rise Time
5 ns
Typical Turn-Off Delay Time
5 ns
Packaging
Bulk
Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
FET
обновлено 2017-07-27 11:00:35
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 286780 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 37.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 13 шт.

VP2106N3%40MICROCHIP