VP0109N3-G

Купить со склада от 47,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microchip Technology
Техническая документация:
PDF VP0109N3-G@MICROCHIP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
VP0109N3-G фото 1 VP0109N3-G фото 1
VP0109N3-G фото 2 VP0109N3-G фото 2
VP0109N3-G фото 3 VP0109N3-G фото 3
VP0109N3-G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики VP0109N3-G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Microchip
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-92-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 90 V
Id - Continuous Drain Current
- 250 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Bulk
Channel Mode
Enhancement
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Fall Time
4 ns
Height
5.33 mm
Length
5.21 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
1 W
Rise Time
3 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 P-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
8 ns
Typical Turn-On Delay Time
4 ns
Width
4.19 mm
Unit Weight
0.016000 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:13
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 286779 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 47.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 9361 шт.

VP0109N3-G%40MICROCHIP