STW11NM80

Купить со склада от 130,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STW11NM80@ST PDF даташит
Аналоги товара:
STW11NM80 фото 1 STW11NM80 фото 1
STW11NM80 фото 2 STW11NM80 фото 2
STW11NM80 фото 3 STW11NM80 фото 3
STW11NM80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STW11NM80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Fall Time
15 ns
Forward Transconductance - Min
8 S
Height
20.15 mm
Length
15.75 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
17 ns
Series
N-channel MDmesh
Factory Pack Quantity
600
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
46 ns
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
Width
5.15 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:35
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 286322 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 130.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12855 шт.

STW11NM80%40ST