HGTG30N60B3D

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTG30N60B3D@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
7 грамм
HGTG30N60B3D фото 1 HGTG30N60B3D фото 1
HGTG30N60B3D фото 2 HGTG30N60B3D фото 2
HGTG30N60B3D фото 3 HGTG30N60B3D фото 3
HGTG30N60B3D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTG30N60B3D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Pd - Power Dissipation
208 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current
60 A
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Height
20.82 mm
Length
15.87 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Series
HGTG30N60B3D
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
4.82 mm
Part # Aliases
HGTG30N60B3D_NL
обновлено 2017-07-27 11:00:34
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 282680 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 17467 шт.

HGTG30N60B3D%40ONS