FQP9N50

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF FQP9N50@ONS PDF даташит
FQP9N50 фото 1 FQP9N50 фото 1
FQP9N50 фото 2 FQP9N50 фото 2
FQP9N50 фото 3 FQP9N50 фото 3
FQP9N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQP9N50
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
TO-220
Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Continuous Drain Current
9 A
Power Dissipation
147000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
8.2 S
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.73 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
60 ns
Typical Rise Time
95 ns
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
+ - 30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
MOSFET
обновлено 2017-07-09 07:16:21

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

FQP9N50%40ONS