2SK2103T100

Купить со склада от 0,00 руб
Масса товара:
0 грамм
2SK2103T100 фото 1 2SK2103T100 фото 1
2SK2103T100 фото 2 2SK2103T100 фото 2
2SK2103T100
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2SK2103T100
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
ROHM Semiconductor
Id - Continuous Drain Current
2 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Rds On - Drain-Source Resistance
400 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
2 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
MPT-3
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
60 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
25 ns
Series
2SK2103
Factory Pack Quantity
1000
Typical Turn-Off Delay Time
60 ns
обновлено 2017-03-05 09:04:09

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

2SK2103T100%40ROHM