PD57006-E

Купить со склада от 594,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF PD57006-E@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
PD57006-E фото 1 PD57006-E фото 1
PD57006-E фото 2 PD57006-E фото 2
PD57006-E фото 3 PD57006-E фото 3
PD57006-E
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PD57006-E
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Drain Current (Max)
1 A
Frequency (Max)
945(MHz)
Gate-Source Voltage (Max)
?20 V
Output Power (Max)
6W(Min)
Power Dissipation
20 W
Mounting
Surface Mount
Package Type
PowerSO-10RF
Packaging
RailTube
Pin Count
3
Polarity
N
Type
RF MOSFET
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
50 %
Drain-Source On-Volt
65 V
Power Gain
15 dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
1(A)
Operating Temp Range
-65C to 165C
Channel Type
N
Screening Level
Military
VSWR (Max)
10(Min)
Forward Transconductance (Typ)
0.58(S)
Input Capacitance (Typ)@Vds
27@28V(pF)
Output Capacitance (Typ)@Vds
14@28V(pF)
Power Gain (Typ)@Vds
15(dB)
Drain Efficiency (Typ)
50(%)
Reverse Capacitance (Typ)
0.9@28V(pF)
Drain Source Voltage (Max)
65(V)
Power Dissipation (Max)
20000(mW)
DELETED
Compliant
обновлено 2017-07-23 07:31:10
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 271585 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 594.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1976 шт.

PD57006-E%40ST