MJD122T4

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF MJD122T4@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJD122T4 фото 1 MJD122T4 фото 1
MJD122T4 фото 2 MJD122T4 фото 2
MJD122T4 фото 3 MJD122T4 фото 3
MJD122T4
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD122T4
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
0.12 A
Configuration
Common Base
Dimensions
6.60 x 6.20 x 2.40 mm
Height
2.4 mm
Length
6.6 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Cutoff Current
10 (Base), 10 (Emitter) μA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
20 W
Minimum DC Current Gain
100
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
Maximum of +150 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Transistor Type
NPN
Width
6.2 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:19
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 270968 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 597174 шт.

MJD122T4%40ST