IXDR35N60BD1

Купить со склада от 781,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDR35N60BD1@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXDR35N60BD1 фото 1 IXDR35N60BD1 фото 1
IXDR35N60BD1 фото 2 IXDR35N60BD1 фото 2
IXDR35N60BD1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDR35N60BD1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
38 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Power Dissipation
125 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
ISOPLUS247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current Ic Max
48 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
IXDR35N60B
Factory Pack Quantity
30
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263430 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 781.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 23 шт.

IXDR35N60BD1%40IXYS