IXDR35N60BD1

Купить со склада от 913,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDR35N60BD1@IXYS PDF даташит
IXDR35N60BD1 фото 1 IXDR35N60BD1 фото 1
IXDR35N60BD1 фото 2 IXDR35N60BD1 фото 2
IXDR35N60BD1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDR35N60BD1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
38 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Pd - Power Dissipation
125 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
ISOPLUS247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current
38 A
Continuous Collector Current Ic Max
48 A
Height
21.34 mm
Length
16.13 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
Series
IXDR35N60B
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
5.21 mm
Unit Weight
0.186952 oz
обновлено 2017-07-27 11:00:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263430 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 913.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 19 шт.

IXDR35N60BD1%40IXYS