IRLR7833

Купить со склада от 55,80 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR7833@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
IRLR7833 фото 1 IRLR7833 фото 1
IRLR7833 фото 2 IRLR7833 фото 2
IRLR7833 фото 3 IRLR7833 фото 3
IRLR7833
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR7833
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
140 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.4 V to 2.3 V
Qg - Gate Charge
38 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
15 ns
Forward Transconductance - Min
66 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
140 W
Rise Time
6.9 ns
Factory Pack Quantity
75
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:18
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263348 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 55.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 23499 шт.

IRLR7833%40INFIN