IRLI2910

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 27А, 48Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRLI2910

Анализ рынка IRLI2910@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRLI2910

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??16
Maximum Continuous Drain Current - (A)
31
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
26@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
140(Max)@5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
3700@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
63000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220FP
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 24-03-2024
IRLI2910%40INFIN