IRFS4229

Купить со склада от 110,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFS4229@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2 грамм
IRFS4229 фото 1 IRFS4229 фото 1
IRFS4229 фото 2 IRFS4229 фото 2
IRFS4229 фото 3 IRFS4229 фото 3
IRFS4229
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFS4229
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
250 V
Id - Continuous Drain Current
45 A
Rds On - Drain-Source Resistance
42 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Qg - Gate Charge
72 nC
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
21 ns
Forward Transconductance - Min
83 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
330 W
Rise Time
31 ns
Factory Pack Quantity
250
Transistor Type
1 N-Channel
Type
PDP Switch
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263281 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 110.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 14085 шт.

IRFS4229%40INFIN