IRFP3415

Купить со склада от 61,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFP3415@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
IRFP3415 фото 1 IRFP3415 фото 1
IRFP3415 фото 2 IRFP3415 фото 2
IRFP3415 фото 3 IRFP3415 фото 3
IRFP3415
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFP3415
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
19 S
Height
20.7 mm
Length
15.87 mm
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Resistance
0.042 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-247AC
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 200 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2400 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
12 ns
Typical TurnOff Delay Time
71 ns
Width
5.31 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263264 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 61.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 13749 шт.

IRFP3415%40INFIN