IRFD123

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFD123@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
1 грамм
IRFD123 фото 1 IRFD123 фото 1
IRFD123 фото 2 IRFD123 фото 2
IRFD123 фото 3 IRFD123 фото 3
IRFD123
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFD123
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
2,500
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
обновлено 2017-07-23 07:31:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263257 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 15106 шт.

IRFD123%40VISHAY