IRFBE30S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFBE30S@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRFBE30S фото 1 IRFBE30S фото 1
IRFBE30S фото 2 IRFBE30S фото 2
IRFBE30S фото 3 IRFBE30S фото 3
IRFBE30S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFBE30S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
800
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
4.1
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
3000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
78(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
78(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1300@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
125000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Package Family Name
TO-263
Standard Package Name
TO-263
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263255 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 13973 шт.

IRFBE30S%40VISHAY