IRFBA90N20D

Купить со склада от 222,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFBA90N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFBA90N20D фото 1 IRFBA90N20D фото 1
IRFBA90N20D фото 2 IRFBA90N20D фото 2
IRFBA90N20D фото 3 IRFBA90N20D фото 3
IRFBA90N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFBA90N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6080pF @ 25V
Vgs (Max)
В±30V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 59A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
SUPER-220в„ў (TO-273AA)
Package Case
Super-220в„ў-3 (Straight Leads)
обновлено 2017-07-23 07:31:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263254 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 222.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1363 шт.

IRFBA90N20D%40INFIN