IRFB4229

Купить со склада от 106,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4229@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB4229 фото 1 IRFB4229 фото 1
IRFB4229 фото 2 IRFB4229 фото 2
IRFB4229 фото 3 IRFB4229 фото 3
IRFB4229
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4229
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
International Rectifier
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
46 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
250 V
Rds On - Drain-Source Resistance
46 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
72 nC
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
330 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Brand
International Rectifier
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
21 ns
Forward Transconductance - Min
83 S
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Rise Time
31 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263249 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 106.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 16440 шт.

IRFB4229%40INFIN