IRFB4229

Купить со склада от 99,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4229@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB4229 фото 1 IRFB4229 фото 1
IRFB4229 фото 2 IRFB4229 фото 2
IRFB4229 фото 3 IRFB4229 фото 3
IRFB4229
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4229
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Vgs (Max)
В±30V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 26A, 10V
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 2017-07-27 11:00:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263249 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 99.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 6266 шт.

IRFB4229%40INFIN