IRFB4227

Купить со склада от 72,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4227@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB4227 фото 1 IRFB4227 фото 1
IRFB4227 фото 2 IRFB4227 фото 2
IRFB4227 фото 3 IRFB4227 фото 3
IRFB4227
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4227
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
49 S
Height
16.51 mm
Length
10.66 mm
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
± 30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
330 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-40 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
4600 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
33 ns
Typical TurnOff Delay Time
21 ns
Width
4.82 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:18
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263248 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 72.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 69509 шт.

IRFB4227%40INFIN