IRFB3207

Купить со склада от 88,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB3207@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB3207 фото 1 IRFB3207 фото 1
IRFB3207 фото 2 IRFB3207 фото 2
IRFB3207 фото 3 IRFB3207 фото 3
IRFB3207
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB3207
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
150 S
Height
9.02 mm
Length
10.66 mm
Maximum Continuous Drain Current
170 A
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
7600 pF &&64; 50 V
Typical Turn On Delay Time
29 ns
Typical TurnOff Delay Time
68 ns
Width
4.82 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263244 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 88.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 10732 шт.

IRFB3207%40INFIN